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IPB019N06L3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB019N06L3GATMA1, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB019N06L3GATMA1 数据手册 (9 页)

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IPB019N06L3GATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

250 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0016 Ω

极性

N-Channel

功耗

250 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

120A

上升时间

79 ns

输入电容值(Ciss)

21000pF @30V(Vds)

下降时间

38 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250000 mW

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IPB019N06L3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.31 mm

宽度

9.45 mm

高度

4.57 mm

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IPB019N06L3GATMA1 符合标准

IPB019N06L3GATMA1 概述

IPB019N06L3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.52 MByte

IPB019N06L3GATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB019N06L3GATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IPB019N06L3GATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB019N06L3GATMA1, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

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INFINEON IPB019N06L3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 1.7 V

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