￥ 3.61

IPB019N08N3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-7

描述:

INFINEON IPB019N08N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 80 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB019N08N3GATMA1 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPB019N08N3GATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

7 Pin

封装

TO-263-7

通道数

1 Channel

针脚数

7 Position

漏源极电阻

0.0016 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

2.8 V

输入电容

10700 pF

漏源极电压(Vds)

80 V

漏源击穿电压

80 V

连续漏极电流(Ids)

180A

上升时间

73 ns

输入电容值(Ciss)

10700pF @40V(Vds)

下降时间

33 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300000 mW

查看数据手册 >

IPB019N08N3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

IPB019N08N3GATMA1 符合标准

IPB019N08N3GATMA1 概述

IPB019N08N3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.67 MByte

IPB019N08N3GATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB019N08N3GATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

34 页 / 2.17 MByte

IPB019N08N3GATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPB019N08N3 数据手册

IPB019N08N3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPB019N08N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 80 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2.8 V

IPB019N08N3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-transistor

IPB019N08N3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPB019N08N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 80 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2.8 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号