￥ 2.286

IPB020NE7N3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IPB020NE7N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB020NE7N3 G 数据手册 (9 页)

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IPB020NE7N3 G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0018 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

3.1 V

漏源极电压(Vds)

75 V

上升时间

26 ns

输入电容值(Ciss)

14400pF @37.5V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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IPB020NE7N3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPB020NE7N3 G 符合标准

IPB020NE7N3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.53 MByte

IPB020NE7N3 G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB020NE7N3 G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

38 页 / 0.39 MByte

IPB020NE7N3 G 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPB020NE7N3 数据手册

IPB020NE7N3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPB020NE7N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.1 V

IPB020NE7N3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPB020NE7N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.1 V

IPB020NE7N3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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