￥ 3.882

IPB025N10N3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263

描述:

100V,180A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB025N10N3G 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPB025N10N3G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

7 Pin

封装

TO-263

极性

N-Channel

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

58 ns

下降时间

28 ns

查看数据手册 >

IPB025N10N3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

IPB025N10N3G 符合标准

IPB025N10N3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.64 MByte

IPB025N10N3 数据手册

IPB025N10N3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPB025N10N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.7 V

IPB025N10N3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPB025N10N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.7 V

IPB025N10N3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

100V,180A,N沟道功率MOSFET

IPB025N10N3GE818XT 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号