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IPB027N10N5
2.469
IPB027N10N5 数据手册 (11 页)
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IPB027N10N5 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-263-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
120A

IPB027N10N5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

IPB027N10N5 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.97 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPB027N10 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPB027N10N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.7 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPB027N10N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.7 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 166 A, 100 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
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