IPB038N12N3 G

￥ 3.508

IPB038N12N3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB038N12N3 G 数据手册 (27 页)

封装尺寸在25 页

典型应用电路图在1 页

原理图在5 页

IPB038N12N3 G 数据手册 (27 页)

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IPB038N12N3 G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0032 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

120 V

上升时间

52 ns

输入电容值(Ciss)

13800pF @60V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

21 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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IPB038N12N3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.31 mm

宽度

9.45 mm

高度

4.57 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPB038N12N3 G 符合标准

IPB038N12N3 G 海关信息

IPB038N12N3 G 概述

IPB038N12N3 G 数据手册

IPB038N12N3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.41 MByte

IPB038N12N3 G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB038N12N3 G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IPB038N12N3 G 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPB038N12N3 数据手册

IPB038N12N3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB038N12N3GATMA1, 120 A, Vds=120 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

IPB038N12N3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

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IPB038N12N3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

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