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IPB042N10N3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB042N10N3GATMA1 数据手册 (11 页)

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IPB042N10N3GATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

214 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0036 Ω

极性

N-Channel

功耗

214 W

阈值电压

2.7 V

输入电容

6320 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

59 ns

输入电容值(Ciss)

6320pF @50V(Vds)

下降时间

14 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

214W (Tc)

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IPB042N10N3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPB042N10N3GATMA1 符合标准

IPB042N10N3GATMA1 概述

IPB042N10N3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.73 MByte

IPB042N10N3GATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB042N10N3GATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

IPB042N10N3GATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPB042N10N3GATMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

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