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IPB048N15N5 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-263

描述:

场效应管(MOSFET) IPB048N15N5 TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB048N15N5 数据手册 (11 页)

IPB048N15N5 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TO-263

功耗

300 W

上升时间

5.3 ns

输入电容值(Ciss)

6000pF @75V(Vds)

下降时间

37 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300000 mW

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IPB048N15N5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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IPB048N15N5 符合标准

IPB048N15N5 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 1 MByte

IPB048N15N5 产品设计参考手册

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