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IPB180P04P4L-02 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-7

描述:

INFINEON IPB180P04P4L-02 晶体管, MOSFET, P沟道, -180 A, -40 V, 0.0018 ohm, -10 V, -1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB180P04P4L-02 数据手册 (9 页)

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IPB180P04P4L-02 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

7 Pin

封装

TO-263-7

通道数

1 Channel

针脚数

7 Position

漏源极电阻

0.0018 Ω

极性

P-Channel

功耗

150 W

阈值电压

2.2 V

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

连续漏极电流(Ids)

180A

上升时间

28 ns

输入电容值(Ciss)

14400pF @25V(Vds)

下降时间

119 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150 W

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IPB180P04P4L-02 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

IPB180P04P4L-02 符合标准

IPB180P04P4L-02 海关信息

IPB180P04P4L-02 概述

IPB180P04P4L-02 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.16 MByte

IPB180P04P4L-02 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPB180P04P4L-02 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 4.06 MByte

IPB180P04P4L-02 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

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INFINEON IPB180P04P4L-02 晶体管, MOSFET, P沟道, -180 A, -40 V, 0.0018 ohm, -10 V, -1.7 V

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