￥ 1.23

IPB50R299CP 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB50R299CP 数据手册 (10 页)

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IPB50R299CP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

极性

N-Channel

功耗

104 W

漏源极电压(Vds)

550 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

1190pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

104 W

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

104 W

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IPB50R299CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPB50R299CP 符合标准

IPB50R299CP 概述

IPB50R299CP 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.54 MByte

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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R299CPATMA1, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

IPB50R299CP 数据手册

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