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IPB60R099C6 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

INFINEON IPB60R099C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB60R099C6 数据手册 (18 页)

封装尺寸在14 页 15 页 16 页 17 页

IPB60R099C6 数据手册 (18 页)

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IPB60R099C6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

278 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.09 Ω

极性

N-Channel

功耗

278 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

37.9A

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

2660pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

278 W

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

278W (Tc)

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IPB60R099C6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPB60R099C6 符合标准

IPB60R099C6 概述

IPB60R099C6 数据手册

Infineon（英飞凌）

18 页 / 1.56 MByte

IPB60R099C6 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB60R099C6 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

IPB60R099C6 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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