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IPB60R125CP 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

600V,25A,N沟道MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB60R125CP 数据手册 (10 页)

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IPB60R125CP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

极性

N-Channel

功耗

208 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

25.0 A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

2500pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

208 W

下降时间

5 ns

耗散功率(Max)

208W (Tc)

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IPB60R125CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPB60R125CP 符合标准

IPB60R125CP 海关信息

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