IPB60R160P6ATMA1

￥ 1.852

IPB60R160P6ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB60R160P6ATMA1 数据手册 (19 页)

IPB60R160P6ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

极性

N-CH

功耗

176W (Tc)

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

23.8A

上升时间

7.6 ns

输入电容值(Ciss)

2080pF @100V(Vds)

下降时间

5.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

176W (Tc)

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IPB60R160P6ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPB60R160P6ATMA1 符合标准

IPB60R160P6ATMA1 数据手册

IPB60R160P6ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 3.06 MByte

IPB60R160P6ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB60R160P6ATMA1 其他数据使用手册

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42 页 / 1.35 MByte

IPB60R160P6ATMA1 开发手册

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