￥ 2.472

IPB65R150CFD 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

场效应管(MOSFET) IPB65R150CFD TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB65R150CFD 数据手册 (20 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPB65R150CFD 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TO-263-3

极性

N-CH

功耗

195.3 W

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

22.4A

上升时间

7.6 ns

下降时间

5.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

IPB65R150CFD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

IPB65R150CFD 符合标准

IPB65R150CFD 数据手册

Infineon（英飞凌）

20 页 / 3.72 MByte

IPB65R150CFD 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB65R150CFD 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

IPB65R150CFD 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPB65R150 数据手册

IPB65R150CFDATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 22.4 A, 650 V, 0.135 ohm, 10 V, 4 V

IPB65R150CFDAATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道 650V 22.4A

IPB65R150CFD 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPB65R150CFD TO-263-3

IPB65R150CFDA 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPB65R150CFDA TO-263-3

IPB65R150CFDATMA2 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号