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IPB65R150CFDA 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-263

描述:

场效应管(MOSFET) IPB65R150CFDA TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB65R150CFDA 数据手册 (16 页)

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IPB65R150CFDA 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TO-263

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

22.4A

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IPB65R150CFDA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

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IPB65R150CFDA 符合标准

IPB65R150CFDA 数据手册

Infineon（英飞凌）

16 页 / 2.13 MByte

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