￥ 11.89

IPB65R190C6 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

650V的CoolMOS C6功率晶体管 650V CoolMOS C6 Power Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB65R190C6 数据手册 (19 页)

封装尺寸在14 页 15 页 16 页 17 页 18 页

IPB65R190C6 数据手册 (19 页)

查看文档

2 应用领域

查看文档

6 电气规格

查看文档

或点击图片查看大图

IPB65R190C6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

190 mΩ

极性

N-CH

功耗

151 W

漏源极电压(Vds)

700 V

漏源击穿电压

650 V

连续漏极电流(Ids)

20.2A

上升时间

12 nS

下降时间

10 nS

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

查看数据手册 >

IPB65R190C6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

IPB65R190C6 符合标准

IPB65R190C6 海关信息

IPB65R190C6 数据手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 2.16 MByte

IPB65R190C6 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 1.16 MByte

IPB65R190 数据手册

IPB65R190C7ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

IPB65R190CFDATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPB65R190CFDATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V

IPB65R190CFD 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPB65R190CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V

IPB65R190CFDAATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

IPB65R190C6ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

IPB65R190C6 数据手册

Infineon（英飞凌）

650V的CoolMOS C6功率晶体管 650V CoolMOS C6 Power Transistor

IPB65R190CFDA 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPB65R190CFDA TO-263

IPB65R190C7 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPB65R190C7 TO-263

IPB65R190C7ATMA2 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V

IPB65R190CFDATMA2 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号