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IPD053N06N3GBTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IPD053N06N3GBTMA1 数据手册 (3 页)

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IPD053N06N3GBTMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

极性

N-CH

功耗

115W (Tc)

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

90A

上升时间

68 ns

输入电容值(Ciss)

6600pF @30V(Vds)

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

115W (Tc)

IPD053N06N3GBTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IPD053N06N3GBTMA1 符合标准

IPD053N06N3GBTMA1 数据手册

IPD053N06N3GBTMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

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