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IPD060N03LG
0.157
IPD060N03LG 数据手册 (12 页)
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IPD060N03LG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
极性
N-Channel
功耗
56 W
漏源极电压(Vds)
30 V
输入电容值(Ciss)
240pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
56 W

IPD060N03LG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
6.22 mm

IPD060N03LG 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.99 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.98 MByte

IPD060N03 数据手册

Infineon(英飞凌)
IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀
Infineon(英飞凌)
OptiMOS®3电源晶体管具有快速开关MOSFET的开关电源 OptiMOS™3 Power-Transistor Features Fast switching MOSFET for SMPS
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPD060N03L G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 5 mohm, 10 V, 2.2 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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