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IPD079N06L3GBTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IPD079N06L3GBTMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPD079N06L3GBTMA1 数据手册 (9 页)

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IPD079N06L3GBTMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

79 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0063 Ω

极性

N-Channel

功耗

79 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

50A

上升时间

26 ns

输入电容值(Ciss)

3700pF @30V(Vds)

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

79 W

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IPD079N06L3GBTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.223 mm

高度

2.413 mm

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IPD079N06L3GBTMA1 符合标准

IPD079N06L3GBTMA1 概述

IPD079N06L3GBTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.43 MByte

IPD079N06L3GBTMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD079N06L3GBTMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IPD079N06L3GBTMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPD079N06L3 数据手册

IPD079N06L3GBTMA1 数据手册

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INFINEON IPD079N06L3GBTMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.7 V

IPD079N06L3 G 数据手册

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INFINEON IPD079N06L3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.7 V

IPD079N06L3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

60V,7.9mΩ,50A,N沟道功率MOSFET

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