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IPD082N10N3GBTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPD082N10N3GBTMA1 数据手册 (12 页)

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IPD082N10N3GBTMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

7 mΩ

极性

N-CH

功耗

125 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

80A

上升时间

42 ns

输入电容值(Ciss)

3980pF @50V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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IPD082N10N3GBTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPD082N10N3GBTMA1 符合标准

IPD082N10N3GBTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.76 MByte

IPD082N10N3GBTMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD082N10N3GBTMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IPD082N10N3GBTMA1 开发手册

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