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IPD30N10S3L34ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IPD30N10S3L34ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.0258 ohm, 10 V, 1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPD30N10S3L34ATMA1 数据手册 (9 页)

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IPD30N10S3L34ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0258 Ω

极性

N-Channel

功耗

57 W

阈值电压

1.7 V

输入电容

1520 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

30A

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

1520pF @25V(Vds)

下降时间

3 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

57W (Tc)

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IPD30N10S3L34ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPD30N10S3L34ATMA1 符合标准

IPD30N10S3L34ATMA1 概述

IPD30N10S3L34ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.17 MByte

IPD30N10S3L34ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPD30N10S3L34ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

IPD30N10S3L34ATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

IPD30N10S3L34ATMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.1 MByte

IPD30N10S3L34 数据手册

IPD30N10S3L-34 数据手册

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INFINEON IPD30N10S3L-34 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.0258 ohm, 10 V, 1.7 V

IPD30N10S3L34ATMA1 数据手册

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INFINEON IPD30N10S3L34ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.0258 ohm, 10 V, 1.7 V

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