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IPD33CN10N G
0.307
IPD33CN10N G 数据手册 (12 页)
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IPD33CN10N G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
极性
N-Channel
功耗
58.0 W
阈值电压
2 V
上升时间
21 ns
下降时间
4 ns

IPD33CN10N G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IPD33CN10N G 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.83 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPD33CN10 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD33CN10NGBUMA1, 27 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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