￥ 0.492

IPD350N06L G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度绿色封装（无铅）超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPD350N06L G 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPD350N06L G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

29.0 A

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

35 mΩ

功耗

68 W

输入电容

800 pF

栅电荷

13.0 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

29.0 A

上升时间

21 ns

输入电容值(Ciss)

600pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

68 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

68 W

查看数据手册 >

IPD350N06L G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

IPD350N06L G 符合标准

IPD350N06L G 海关信息

IPD350N06L G 概述