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IPD50N06S4L12ATMA2 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IPD50N06S4L12ATMA2 数据手册 (138 页)

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IPD50N06S4L12ATMA2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0096 Ω

极性

N-CH

功耗

50 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

50A

上升时间

2 ns

输入电容值(Ciss)

2220pF @25V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

50000 mW

IPD50N06S4L12ATMA2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IPD50N06S4L12ATMA2 符合标准

IPD50N06S4L12ATMA2 概述

IPD50N06S4L12ATMA2 数据手册

IPD50N06S4L12ATMA2 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPD50N06S4L12ATMA2 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

IPD50N06S4L12ATMA2 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

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晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V

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