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IPD50R380CEBTMA1
0.615
IPD50R380CEBTMA1 数据手册 (15 页)
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IPD50R380CEBTMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
极性
N-Channel
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
9.9A

IPD50R380CEBTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)

IPD50R380CEBTMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
15 页 / 1.04 MByte

IPD50R380 数据手册

Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 14.1 A, 500 V, 0.35 ohm, 13 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R380CEATMA1, 9.9 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
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