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IPD600N25N3GBTMA1
1.2
IPD600N25N3GBTMA1 数据手册 (9 页)
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IPD600N25N3GBTMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
136 W
极性
N-Channel
功耗
136 W
漏源极电压(Vds)
250 V
连续漏极电流(Ids)
25A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
2350pF @100V(Vds)
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
136W (Tc)

IPD600N25N3GBTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IPD600N25N3GBTMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.47 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.05 MByte

IPD600N25N3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPD600N25N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.051 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
250V,25A,N沟道功率MOSFET
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