￥ 0.26

IPD60R2K0C6BTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IPD60R2K0C6BTMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPD60R2K0C6BTMA1 数据手册 (14 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPD60R2K0C6BTMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

22.3 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.8 Ω

极性

N-CH

功耗

22.3 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

2.4A

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

140pF @100V(Vds)

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

22.3W (Tc)

查看数据手册 >

IPD60R2K0C6BTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IPD60R2K0C6BTMA1 符合标准

IPD60R2K0C6BTMA1 概述

IPD60R2K0C6BTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 0.91 MByte

IPD60R2K0C6BTMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD60R2K0C6BTMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

IPD60R2K0C6BTMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPD60R2K0C6BTMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.19 MByte

IPD60R2K0C6 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

IPD60R2K0C6BTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPD60R2K0C6BTMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V

IPD60R2K0C6ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号