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IPD60R360P7
0.994
IPD60R360P7 数据手册 (14 页)
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IPD60R360P7 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-252

IPD60R360P7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPD60R360P7 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 1.2 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.89 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPD60R360 数据手册

Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.305 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.3 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPD60R360P7S TO-252
Infineon(英飞凌)
N沟道 650V 10A
Infineon(英飞凌)
N沟道 650V 9A
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