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IPD60R360P7ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.305 ohm, 10 V, 3.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPD60R360P7ATMA1 数据手册 (14 页)

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IPD60R360P7ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.305 Ω

功耗

41 W

阈值电压

3.5 V

漏源极电压(Vds)

650 V

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

555pF @400V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

41W (Tc)

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IPD60R360P7ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPD60R360P7ATMA1 符合标准

IPD60R360P7ATMA1 概述

IPD60R360P7ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 1.2 MByte

IPD60R360P7ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD60R360P7ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

IPD60R360P7ATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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N沟道 650V 9A

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晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.305 ohm, 10 V, 3.5 V

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晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.3 ohm, 10 V, 3.5 V

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