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IPD60R400CEATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPD60R400CEATMA1 数据手册 (17 页)

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IPD60R400CEATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

极性

N-CH

功耗

112 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

10.3A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

700pF @100V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

83W (Tc)

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IPD60R400CEATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Last Time Buy

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPD60R400CEATMA1 符合标准

IPD60R400CEATMA1 概述

IPD60R400CEATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

17 页 / 1.25 MByte

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3 页 / 0.15 MByte

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