￥ 0.327

IPD60R400CEAUMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 14.7 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPD60R400CEAUMA1 数据手册 (17 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPD60R400CEAUMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.34 Ω

极性

N-CH

功耗

112 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

14.7A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

700pF @100V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

112000 mW

查看数据手册 >

IPD60R400CEAUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

查看数据手册 >

IPD60R400CEAUMA1 符合标准

IPD60R400CEAUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

17 页 / 1.72 MByte

IPD60R400CEAUMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD60R400CEAUMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

51 页 / 2.6 MByte

IPD60R400CEAUMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPD60R400 数据手册

IPD60R400CE 数据手册

Infineon（英飞凌）

650V,14.7A,N沟道功率MOSFET

IPD60R400CEATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

IPD60R400CEAUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 14.7 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号