IPD60R950C6

￥ 0.657

IPD60R950C6 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPD60R950C6 数据手册 (18 页)

封装尺寸在14 页 15 页 17 页

IPD60R950C6 数据手册 (18 页)

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IPD60R950C6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

860 mΩ

极性

N-Channel

功耗

37 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

4.4A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

280pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

37 W

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

37W (Tc)

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IPD60R950C6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPD60R950C6 符合标准

IPD60R950C6 概述

IPD60R950C6 数据手册

IPD60R950C6 数据手册

Infineon（英飞凌）

18 页 / 1.15 MByte

IPD60R950C6 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD60R950C6 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

IPD60R950C6 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPD60R950 数据手册

IPD60R950C6 数据手册

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INFINEON IPD60R950C6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V

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