￥ 1.372

IPD65R225C7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IPD65R225C7 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPD65R225C7 数据手册 (15 页)

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IPD65R225C7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.199 Ω

极性

N-Channel

功耗

63 W

阈值电压

3.5 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

11A

上升时间

6 ns

输入电容值(Ciss)

996pF @400V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

63000 mW

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IPD65R225C7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPD65R225C7 符合标准

IPD65R225C7 海关信息

IPD65R225C7 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 1.63 MByte

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Infineon（英飞凌）

INFINEON IPD65R225C7ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V

IPD65R225C7 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPD65R225C7 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V

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