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IPD80R1K0CE
0.47
IPD80R1K0CE 数据手册 (15 页)
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IPD80R1K0CE 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
极性
N-CH
功耗
83 W
漏源极电压(Vds)
800 V
连续漏极电流(Ids)
5.7A
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
785pF @100V(Vds)
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
83000 mW

IPD80R1K0CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPD80R1K0CE 数据手册

Infineon(英飞凌)
15 页 / 2.26 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
52 页 / 3.25 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPD80R1K0 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPD80R1K0CEATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 3 V 新
Infineon(英飞凌)
800V,950mΩ,5.7A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
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