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IPD90N04S4L04ATMA1
0.261
IPD90N04S4L04ATMA1 数据手册 (9 页)
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IPD90N04S4L04ATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0032 Ω
极性
N-CH
功耗
71 W
阈值电压
1.7 V
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
90A
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
4690pF @25V(Vds)
下降时间
28 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
71W (Tc)

IPD90N04S4L04ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IPD90N04S4L04ATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.15 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
40 页 / 0.46 MByte
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte

IPD90N04S4L04 数据手册

Infineon(英飞凌)
的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 40 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.7 V
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