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IPD90P04P4L04ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IPD90P04P4L04ATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -90 A, -40 V, 0.0036 ohm, -10 V, -1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPD90P04P4L04ATMA1 数据手册 (9 页)

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IPD90P04P4L04ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0036 Ω

极性

P-Channel

功耗

125 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

90A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

11570pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

60 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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IPD90P04P4L04ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.41 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPD90P04P4L04ATMA1 符合标准

IPD90P04P4L04ATMA1 概述

IPD90P04P4L04ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.14 MByte

IPD90P04P4L04ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPD90P04P4L04ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.91 MByte

IPD90P04P4L04ATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

IPD90P04P4L04 数据手册

IPD90P04P4L-04 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。增强型模式雪崩等级低切换和传导功率损耗无铅引线电镀；符合 RoHS 标准标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

IPD90P04P4L04ATMA1 数据手册

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INFINEON IPD90P04P4L04ATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -90 A, -40 V, 0.0036 ohm, -10 V, -1.7 V

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P沟道 40V 90A

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