IPD90R1K2C3

￥ 0.626

IPD90R1K2C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IPD90R1K2C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPD90R1K2C3 数据手册 (2 页)

IPD90R1K2C3 数据手册 (2 页)

或点击图片查看大图

IPD90R1K2C3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

83 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.2 Ω

极性

N-Channel

功耗

83 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

900 V

漏源击穿电压

900 V

连续漏极电流(Ids)

5.10 A

上升时间

20 ns

正向电压(Max)

1.2 V

输入电容值(Ciss)

710pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

83 W

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

83W (Tc)

查看数据手册 >

IPD90R1K2C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IPD90R1K2C3 符合标准

IPD90R1K2C3 海关信息

IPD90R1K2C3 概述

IPD90R1K2C3 数据手册

IPD90R1K2C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.07 MByte

IPD90R1K2C3 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD90R1K2C3 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

38 页 / 0.73 MByte

IPD90R1K2C3 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPD90R1K2 数据手册

IPD90R1K2C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPD90R1K2C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

IPD90R1K2C3ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPD90R1K2C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

IPD90R1K2C3BTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90R1K2C3BTMA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

IPD90R1K2C3ATMA2 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道 900V 5.1A

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

最新型号

STM8S105K6T6C STM32F100C8T6B ICL7107CPLZ EPM570T144C5N LM2901D OPA192IDBVT AFT05MS004NT1 CL10A106MQ8NNNC

更多热门型号文档

热门型号

SN74LVC2G08DCUT

SN74LVC1G11DBVR

BOM选型工具

智能匹配型号

推荐替代方案

预警生产风险

计算采购成本

上传BOM文件

文件格式：*.xlsx，*.xls，*csv

Gerber文件查看器

15秒快速建模

预览PCB成品

支持40种板层

预检生产问题

上传Gerber文件

支持标准RS-274X文件，接受zip、rar、7z