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IPG16N10S461ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TDSON-8-4

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 100 V, 0.053 ohm, 10 V, 2.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPG16N10S461ATMA1 数据手册 (9 页)

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IPG16N10S461ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TDSON-8-4

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.053 Ω

极性

N-CH

功耗

29 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

16A

上升时间

1 ns

输入电容值(Ciss)

490pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

29 W

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

29000 mW

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IPG16N10S461ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPG16N10S461ATMA1 符合标准

IPG16N10S461ATMA1 海关信息

IPG16N10S461ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.13 MByte

IPG16N10S461ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPG16N10S461ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 4.06 MByte

IPG16N10S461ATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

IPG16N10S461ATMA1 产品描述及参数

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.29 MByte

IPG16N10S461 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 100 V, 0.053 ohm, 10 V, 2.8 V

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2个N沟道 100V 16A

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场效应管(MOSFET) IPG16N10S4-61A TDSON-8

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