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IPG16N10S461ATMA1
0.434
IPG16N10S461ATMA1 数据手册 (9 页)
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IPG16N10S461ATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-TDSON-8-4
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.053 Ω
极性
N-CH
功耗
29 W
阈值电压
2.8 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
16A
上升时间
1 ns
输入电容值(Ciss)
490pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
29 W
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
29000 mW

IPG16N10S461ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IPG16N10S461ATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.13 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.29 MByte

IPG16N10S461 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 100 V, 0.053 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon(英飞凌)
2个N沟道 100V 16A
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPG16N10S4-61A TDSON-8
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