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Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IPG20N06S4-15 Datasheet 文档
IPG20N06S4-15
0.628
IPG20N06S4-15 数据手册 (9 页)
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IPG20N06S4-15 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-TDSON-8-4
通道数
2 Channel
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
20A
上升时间
2 ns
输入电容值(Ciss)
1740pF @25V(Vds)
下降时间
9 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
50 W

IPG20N06S4-15 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.15 mm
宽度
6.15 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IPG20N06S4-15 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.15 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte

IPG20N06 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPG20N06S4L-26  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPG20N06S4L26ATMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPG20N06S2L35ATMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPG20N06S2L50ATMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.039 ohm, 10 V, 1.6 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPG20N06S2L-35  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V
Infineon(英飞凌)
IPG20N06S4L 系列 60 V 11.2 mOhm OptiMOS™-T2 功率-晶体管 - PG-TDSON-8-4
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPG20N06S2L65ATMA1, 20 A, Vds=55 V, 8引脚 TDSON封装
Infineon(英飞凌)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 60 V, 0.0129 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.053 ohm, 10 V, 1.6 V
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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