IPG20N06S4L-26 数据手册 - Infineon（英飞凌）

INFINEON  IPG20N06S4L-26  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.7 V

INFINEON  IPG20N06S4L26ATMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.7 V

IPG20N06S4L 系列 60 V 11.2 mOhm OptiMOS™-T2 功率-晶体管 - PG-TDSON-8-4

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 60 V, 0.0129 ohm, 10 V, 3 V

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFETInfineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

2个N沟道 60V 20A