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IPG20N06S4L26ATMA1
0.37
IPG20N06S4L26ATMA1 数据手册 (9 页)
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IPG20N06S4L26ATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-TDSON-8-4
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.021 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
33 W
阈值电压
1.7 V
输入电容
1100 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
20A
上升时间
1.5 ns
输入电容值(Ciss)
1100pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
33 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
33000 mW

IPG20N06S4L26ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.15 mm
宽度
5.9 mm
高度
0.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IPG20N06S4L26ATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.14 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte

IPG20N06S4L26 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPG20N06S4L-26  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPG20N06S4L26ATMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
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