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IPG20N10S4L-22A
0.887
IPG20N10S4L-22A 数据手册 (138 页)
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IPG20N10S4L-22A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TDSON-8
通道数
2 Channel
极性
N-CH
功耗
60 W
阈值电压
1.1 V, 1.1 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
±100 V
连续漏极电流(Ids)
20A
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

IPG20N10S4L-22A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IPG20N10S4L-22A 数据手册

Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte

IPG20N10S4L22 数据手册

Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPG20N10S4L-22 TDSON-8-4
Infineon(英飞凌)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.6 V
Infineon(英飞凌)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.6 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPG20N10S4L-22A TDSON-8
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