￥ 1.323

IPL60R185P7AUMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

PG-VSON-4

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 600 V, 0.149 ohm, 10 V, 3.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IPL60R185P7AUMA1 数据手册 (28 页)

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IPL60R185P7AUMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

PG-VSON-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.149 Ω

功耗

82 W

阈值电压

3.5 V

漏源极电压(Vds)

650 V

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

1081pF @400V(Vds)

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

81W (Tc)

IPL60R185P7AUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IPL60R185P7AUMA1 符合标准

IPL60R185P7AUMA1 概述

IPL60R185P7AUMA1 数据手册

IPL60R185P7AUMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 1.49 MByte

IPL60R185P7AUMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

IPL60R185P7AUMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPL60R185P7 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPL60R185P7 VSON-4-EP(8.1x8.1)

IPL60R185P7AUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 600 V, 0.149 ohm, 10 V, 3.5 V

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