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IPP029N06NAKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP029N06NAKSA1, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPP029N06NAKSA1 数据手册 (12 页)

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IPP029N06NAKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

136 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0027 Ω

极性

N-Channel

功耗

136 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

4100pF @30V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3000 mW

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IPP029N06NAKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPP029N06NAKSA1 符合标准

IPP029N06NAKSA1 概述

IPP029N06NAKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 1.81 MByte

IPP029N06NAKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPP029N06NAKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IPP029N06NAKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPP029N06NAKSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.19 MByte

IPP029N06 数据手册

IPP029N06NAKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP029N06NAKSA1, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

IPP029N06N 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPP029N06N 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V

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