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IPP200N15N3GHKSA1
1.08
IPP200N15N3GHKSA1 数据手册 (12 页)
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IPP200N15N3GHKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
150W (Tc)
漏源极电压(Vds)
150 V
连续漏极电流(Ids)
50A
输入电容值(Ciss)
1820pF @75V(Vds)
耗散功率(Max)
150W (Tc)

IPP200N15N3GHKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IPP200N15N3GHKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.97 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.91 MByte

IPP200N15N3 数据手册

Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
150V,50A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP200N15N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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