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IPP200N25N3
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IPP200N25N3 数据手册 (11 页)
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IPP200N25N3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
250 V
连续漏极电流(Ids)
64A

IPP200N25N3 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.74 MByte

IPP200N25 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP200N25N3GXKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP200N25N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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