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IPP320N20N3GXKSA1
1.602
IPP320N20N3GXKSA1 数据手册 (11 页)
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IPP320N20N3GXKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
136 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.028 Ω
极性
N-Channel
功耗
136 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
连续漏极电流(Ids)
34A
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
1770pF @100V(Vds)
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
136 W

IPP320N20N3GXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm

IPP320N20N3GXKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.4 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPP320N20N3 数据手册

Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP320N20N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 200 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
200V,34A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
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