￥ 1.645

IPP45N06S3-16 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPP45N06S3-16 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPP45N06S3-16 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

55.0 V

额定电流

45.0 A

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

65 W

输入电容

3.60 nF

栅电荷

75.0 nC

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

45.0 A

上升时间

61 ns

输入电容值(Ciss)

2980pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

65 W

下降时间

68 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

65W (Tc)

查看数据手册 >

IPP45N06S3-16 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

IPP45N06S3-16 符合标准

IPP45N06S3-16 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.18 MByte

IPP45N06S3-16 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.18 MByte

IPP45N06 数据手册

IPP45N06S4-09 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFETInfineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

IPP45N06S4L-08 数据手册

Infineon（英飞凌）

IPP45N06S3L-13 数据手册

Infineon（英飞凌）

的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

IPP45N06S4L08AKSA2 数据手册

Infineon（英飞凌）

IPP45N06S409AKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

IPP45N06S3-16 数据手册

Infineon（英飞凌）

的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor