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IPP60R180P7XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-220-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IPP60R180P7XKSA1 数据手册 (264 页)

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IPP60R180P7XKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.145 Ω

功耗

72 W

阈值电压

3.5 V

漏源极电压(Vds)

650 V

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

1081pF @400V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

72W (Tc)

IPP60R180P7XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPP60R180P7XKSA1 符合标准

IPP60R180P7XKSA1 概述

IPP60R180P7XKSA1 数据手册

IPP60R180P7XKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

264 页 / 22.35 MByte

IPP60R180P7XKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

44 页 / 7.54 MByte

IPP60R180P7XKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPP60R180P7 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPP60R180P7 TO-220

IPP60R180P7XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V

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