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IPP60R280E6
0.439
IPP60R280E6 数据手册 (17 页)
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IPP60R280E6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
13.8A
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
950pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
104 W
下降时间
9 ns

IPP60R280E6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPP60R280E6 数据手册

Infineon(英飞凌)
17 页 / 1.07 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 1.03 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPP60R280 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP60R280P6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 13.8A
Infineon(英飞凌)
600V的CoolMOS E6功率晶体管 600V CoolMOS E6 Power Transistor
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPP60R280P7 TO-220-3
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPP60R280CFD7 TO-220
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.214 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.237 ohm, 10 V, 4 V
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